Durante teste, dispositivo atingiu a frequência de 100 gigahertz a uma distância de 240 nanômetros, superando melhores resultados do silício.
A revista americana Science publicou na edição desta sexta-feira (5/2) um artigo de autoria do grupo do Centro de Pesquisa Watson da IBM, nos Estados Unidos, no qual é descrito a produção de transistores de efeito de campo formados por uma camada de grafeno sobre uma lâmina de silício.
De acordo com o estudo, o dispositivo atingiu a frequência de 100 gigahertz a uma distância de 240 nanômetros, superando a extensão dos melhores resultados de silício até hoje.
Os pesquisadores afirmaram que os transistores de grafeno poderão ser muito úteis em aplicações que exigem grande frequência e velocidade, já que podem alternar sinais eletrônicos mais rápidos do que os de silício.
Há tempos a ideia da possível sucessão do silício pelo grafeno na fabricação de chips de computador vem ganhando força. Uma das principais aplicações potenciais do grafeno está na fabricação de aparelhos eletrônicos flexíveis.
O primeiro transistor de grafeno que se tem notícia foi criado em 2008 por cientistas da Universidade de Manchester, na Inglaterra, com 1 nanômetro de comprimento.
